電子產(chǎn)品設備在使用的過程中最容易且最致命的一個錯誤操作就是：正負極接反，運氣好沒啥大事，通常輕則燒毀電源電路器件，重則燒毀 MCU、昂貴的核心元器件。
本篇博文將分享幾種常用的防反接電源電路設計，希望可以幫助到各位朋友。
1、二極管防反接電路
通常情況，直流電源防反接保護電路最簡單節(jié)省成本的方式就是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺崿F(xiàn)防反接保護，如下圖所示：

 
這種方式簡單可靠，成本低，但是不適合低電壓和大電流。
二極管具有正向電壓降，壓降范圍為 0.7V~3V，對于低電壓而言可能不適用，分壓后可能導致負載電壓不夠。
二極管的耐壓很高，但是過電流能力有限，當輸入大電流的情況下功耗影響非常大，若輸入電流額定值達到 3A，一般二極管壓降為 0.7V，那么功耗至少也要達到：Pd＝3A×0.7V＝2.1W，損耗這么大，這樣效率必定低，且發(fā)熱量大，要加散熱器。這就不劃不來了。 所以這種只能用在小電流，要求不高的電路中。

2、橋式整流管防反接電路
橋式整流管是由 4 個二極管組成，不論輸入電源正負怎么接，輸出極性都是正常的，如下圖所示：

 
橋式整流同時有兩個二極管導通，不再對電源的極性有要求，實現(xiàn)了電源的任意接法，這時最大的優(yōu)點，但是功耗是單個二極管防反接電路的 2 倍。若當輸入電流為 3A 時，Pd＝3A×0.7V×2＝4.2W，更要加散熱片了。成本更高，不實用。

3、MOS 管防反接電路
MOS 管是一種壓控型的半導體器件，可以分為 P-MOS 和 N-MOS，其內(nèi)阻很小（壓降小），可利用其開關特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路。
P-MOS 管防反接電路的導通條件是柵極和源極之間的電壓 VGS<0 時導通，否則截止，利用 P-MOS 管防電源反接時，P-MOS 管接在高側，即靠近電源正極一側，如下所示：

 
N-MOS 管防反接電路的導通條件是柵極和源極之間的電壓 VGS>0 時導通，否則截止，利用 N-MOS 管防電源反接時，N-MOS 管接在低側，即靠近電源負極一側，如下所示：
與 P-MOS 管相比，N-MOS 管導通電阻小且價格相對更便宜，最好選 N-MOS 管。