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二極管的V–I 特性曲線
1．正向特性
正向特性表現為圖中的①段。此時正向電壓較小，正向電流幾乎為零。此工作區域稱為死區。Vth稱為門坎電壓或死區電壓（該電壓硅管約為0.5V，鍺管為0.1V)。當正向電壓大于Vth時，內電場削弱，電流因而迅速增長，呈現出很小的正向電阻。
2．反向特性
反向特性表現為如圖中的②段。由于是少數載流子形成的反向飽和電流，所以其數值很小。但溫度對它影響很大，當溫度升高時，反向電流將隨之增加。
3．反向擊穿特性
反向擊穿特性對應于圖中③段，當反向電壓增加到一定值時，反向電流急劇增加，二極管被反向擊穿。其原因和PN擊穿相同。
二極管的V-I特性
作者：佚名 文章來源：本站原創 點擊數： 更新時間：2016-11-3
半導體二極管的V–I 特性如圖所示。下面對V–I 特性分三部分加以說明。
Tags：二極管,V–I 特性
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